晶體管 AOV20S60 MOSFET
發(fā)布時間：2018/6/28
AOV20S60介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 600V 3.6A（Ta），18A（Tc） 8.3W（Ta），278W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 aMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 3.6A（Ta），18A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 250 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1038pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 8.3W（Ta），278W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 4-DFN-EP（8x8）
封裝/外殼 4-PowerTSFN
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當一個夠大的電位差施于金氧半場效晶體管的柵極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成所謂的“反轉溝道”（inversion channel）。
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