晶體管 IXFN82N60P MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/6/28
IXFN82N60P介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 24 周
詳細(xì)描述 底座安裝 N 溝道 600V 72A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 PolarHV??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 72A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 75 毫歐 @ 41A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 8mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 240nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 23000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1040W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 底座安裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-227B
封裝/外殼 SOT-227-4，miniBLOC
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為了提高單電子晶體管的工作溫度，必須使量子點(diǎn)的尺寸小于10納米，目前世界各實(shí)驗(yàn)室都在想各種辦法解決這個(gè)問題。有些實(shí)驗(yàn)室宣稱已制出室溫下工作的單電子晶體管，觀察到由電子輸運(yùn)形成的臺(tái)階型電流——電壓曲線，但離實(shí)用還有相當(dāng)?shù)木嚯x。
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