晶體管 AO4405 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/28
AO4405介紹：
描述 MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 20 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 30V 6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 -
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 45 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 16nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 495pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極 (Base) 和集電極（Collector）；場效應(yīng)晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
