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晶體管 FT150R12KE3 模塊

發(fā)布時(shí)間:2018/6/27

FT150R12KE3介紹:

描述 MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4

對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 含鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周

詳細(xì)描述 IGBT Module 3 Independent 1200V 200A 700W Chassis Mount Module

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - IGBT - 模塊

制造商 Infineon Technologies

系列 -

零件狀態(tài) 在售

IGBT 類型 -

配置 3 個(gè)獨(dú)立式

電壓 - 集射極擊穿(最大值) 1200V

電流 - 集電極(Ic)(最大值) 200A

功率 - 最大值 700W

不同 Vge,Ic 時(shí)的 Vce(on) 2.15V @ 15V,150A

電流 - 集電極截止(最大值) 5mA

不同 Vce 時(shí)的輸入電容(Cies) 10.5nF @ 25V

輸入 標(biāo)準(zhǔn)

NTC 熱敏電阻 無

工作溫度 -40°C ~ 125°C

安裝類型 底座安裝

封裝/外殼 模塊

供應(yīng)商器件封裝 模塊

富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:


公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、

臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;


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電話:0755-83259719


外部特征是指模塊跟外部環(huán)境聯(lián)系的接口和模塊的功能;內(nèi)部特征是指模塊的內(nèi)部環(huán)境具有的特點(diǎn)。其他程序編寫中可以導(dǎo)入并且調(diào)用現(xiàn)成中的子程序,節(jié)約開發(fā)時(shí)間,減少重復(fù)代碼,便于協(xié)作開發(fā)。