晶體管 NTD2955 MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間:2018/6/27
NTD2955介紹:
描述 MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 19 周
詳細(xì)描述 通孔 P 溝道 60V 12A(Ta) 55W(Tj) I-PAK
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 12A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 180 毫歐 @ 6A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 750pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 55W(Tj)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 I-PAK
封裝/外殼 TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
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