晶體管 SI2369DS-T1-GE3 MOSFET
發(fā)布時間：2018/6/25
SI2369DS-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 22 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 30V 7.6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） TO-236
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 7.6A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 29 毫歐 @ 5.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 36nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1295pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.25W（Ta），2.5W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-236
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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晶體管的低成本，靈活性和可靠性使得其成為非機械任務(wù)的通用器件，例如數(shù)字計算。在控制電器和機械方面，晶體管電路也正在取代電機設(shè)備，因為它通常是更便宜，更有效地僅僅使用標(biāo)準(zhǔn)集成電路并編寫計算機程序來完成同樣的機械任務(wù)，使用電子控制，而不是設(shè)計一個等效的機械控制。
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