晶體管 APT64GA90B MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/15
APT64GA90B介紹：
描述 IGBT 900V 117A 500W TO-247
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 29 周
詳細(xì)描述 IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 Microsemi Corporation
系列 POWER MOS 8??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 PT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 900V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 117A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 193A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 3.1V @ 15V，38A
功率 - 最大值 500W
開(kāi)關(guān)能量 1192μJ（開(kāi)），1088μJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 162nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值 18ns/131ns
測(cè)試條件 600V，38A，4.7 歐姆，15V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3 變式
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金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場(chǎng)效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場(chǎng)效晶體管（PMOSFET）。
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