晶體管 SIA811ADJ-T1-GE3 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/15
SIA811ADJ-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 20V 4.5A（Tc） 1.8W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 雙
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 LITTLE FOOT?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 4.5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 116 毫歐 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 13nC @ 8V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 345pF @ 10V
FET 功能 肖特基二極管（隔離式）
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），6.5W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? SC-70-6 雙
封裝/外殼 PowerPAK? SC-70-6 雙
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今日半導(dǎo)體組件的材料通常以硅為首選，但是也有些半導(dǎo)體公司發(fā)展出使用其他半導(dǎo)體材料的制程，當(dāng)中最著名的例如IBM使用硅與鍺的混合物所發(fā)展的硅鍺制程（SiGe process）。
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