半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXTU01N100 FET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/15
IXTU01N100介紹：
描述 MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 14 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 1000V 100mA（Tc） 1.1W（Ta），25W（Tc） TO-251
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 1000V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 100mA（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 80 歐姆 @ 50mA，0V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 25μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 120pF @ 25V
FET 功能 耗盡模式
功率耗散（最大值） 1.1W（Ta），25W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-251
封裝/外殼 TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。
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