晶體管 BUK7Y65-100EX FET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/15
BUK7Y65-100EX介紹：
描述 MOSFET N-CH 100V 19A LFPAK
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 100V 19A（Tc） 64W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 TrenchMOS??
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 19A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 65 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 17.8nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1023pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 64W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 LFPAK56，Power-SO8
封裝/外殼 SC-100，SOT-669
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場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用.
