晶體管 DMN1150UFB-7B MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/6/15
DMN1150UFB-7B介紹：
描述 MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 20 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 12V 1.41A（Ta） 500mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 1.41A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 150 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 1.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±6V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 106pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 3-DFN1006（1.0x0.6）
封裝/外殼 3-UFDFN
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靜電感應(yīng)晶體管SIT(Static Induction Transistor)誕生于1970年，實(shí)際上是一種結(jié)型場效應(yīng)晶體管。晶體管是一種半導(dǎo)體器件，放大器或電控開關(guān)常用。晶體管是規(guī)范操作電腦，手機(jī)，和所有其他現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。
