晶體管 IRFD320 FET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/14
IRFD320介紹：
描述 MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 400V 490mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 400V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 490mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.8 歐姆 @ 210mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 410pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封裝/外殼 4-DIP（0.300"，7.62mm）
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