晶體管 NTMD4184PFR2G FET
發(fā)布時間：2018/6/13
NTMD4184PFR2G介紹：
描述 MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 7 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 30V 2.3A（Ta） 770mW（Ta） 8-SOIC
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 2.3A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 95 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 4.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 360pF @ 10V
FET 功能 肖特基二極管（隔離式）
功率耗散（最大值） 770mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔，用萬用表的負(fù)極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個極，測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等，則負(fù)表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換，若兩次測出的電阻都很大，則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小，則為P溝道。
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