晶體管 SIRA02DP-T1-GE3 MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/6/13
SIRA02DP-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 22 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 50A（Tc） 5W（Ta），71.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 50A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 117nC @ 10V
Vgs（最大值） +20V，-16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6150pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5W（Ta），71.4W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PowerPAK? SO-8
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8
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晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。此時集電極電流變化與基極同相，在三極管沒有加直流偏置時三極管be結(jié)和ce結(jié)導通，三極管放大電路將只有半個波輸出將產(chǎn)生嚴重的失真。
