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晶體管 NX2301P,215 FET

發(fā)布時(shí)間:2018/6/13

?NX2301P,215介紹:

描述 MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB

對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周

詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 20V 2A(Ta) 400mW(Ta),2.8W(Tc) TO-236AB(SOT23)

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS?

包裝 ? 帶卷(TR) ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 P 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 20V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 2A(Ta)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 120 毫歐 @ 1A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 6nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±8V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 380pF @ 6V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 400mW(Ta),2.8W(Tc)

工作溫度 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 TO-236AB(SOT23)

封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:


公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國(guó)仿真器件(ADI)、國(guó)際整流器(IR)、

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摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國(guó)美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;


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場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換.常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源.?