晶體管 NX2301P,215 FET
發(fā)布時(shí)間:2018/6/13
?NX2301P,215介紹:
描述 MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無限)
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 20V 2A(Ta) 400mW(Ta),2.8W(Tc) TO-236AB(SOT23)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 2A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 120 毫歐 @ 1A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 6nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 380pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 400mW(Ta),2.8W(Tc)
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-236AB(SOT23)
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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