晶體管 SI4666DY-T1-GE3 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/6/12
?SI4666DY-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 25V 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 16.5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 34nC @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1145pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），5W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 10 毫歐 @ 10A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號(hào)放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號(hào)轉(zhuǎn)換等，晶體管在電路中是個(gè)很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。?
