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晶體管 IXFT36N50P MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2018/6/11

IXFT36N50P介紹:
描述 MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 1(無(wú)限)
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 500V 36A(Tc) 540W(Tc) TO-268
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 HiPerFET?,PolarP2?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 36A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 4mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 93nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 5500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 540W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 170 毫歐 @ 500mA,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-268
封裝/外殼 TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
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MOSFET依照其"通道"(工作載流子)的極性不同,可分為"N型"與"P型" 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。