晶體管 H7N1002LS-E MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/8
H7N1002LS-E介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 75A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） -
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 155nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 9700pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 100W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 10 毫歐 @ 37.5A，10V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 4-LDPAK
封裝/外殼 SC-83
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金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管依照其“溝道”極性的不同，可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常被稱為N型金氧半場(chǎng)效晶體管（NMOSFET）與P型金氧半場(chǎng)效晶體管（PMOSFET）。
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