晶體管 STP80N10F7 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/6
STP80N10F7介紹：
描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 38 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 100V 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 DeepGATE?，STripFET? VII
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 80A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 45nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3100pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 110W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 10 毫歐 @ 40A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220
封裝/外殼 TO-220-3
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溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設(shè)漏極和源極是n型，那么溝道也會(huì)是n型。溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會(huì)受其控制而改變。
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