晶體管 AOT482L MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/6
AOT482L介紹：
描述 MOSFET N-CH 80V 11A TO220
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 20 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 80V 11A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-220
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 SDMOS??
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零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 80V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 11A（Ta），105A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 7V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 81nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 4870pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），333W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 7.2 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220
封裝/外殼 TO-220-3
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由于積體電路芯片上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極（Bulk或是Body）。MOSFET電路符號(hào)中，從通道往右延伸的箭號(hào)方向則可表示此元件為n-type或是p-type的MOSFET。
