存儲(chǔ)器 DS1245AB-100 NVSRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/6/5
DS1245AB-100介紹：
描述 IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 6 周
詳細(xì)描述 NVSRAM（非易失性 SRAM） 存儲(chǔ)器 IC 1Mb （128K x 8） 并聯(lián) 100ns 32-EDIP
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Maxim Integrated
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 NVSRAM
技術(shù) NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲(chǔ)容量 1Mb （128K x 8）
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 100ns
訪問(wèn)時(shí)間 100ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 4.75 V ~ 5.25 V
工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
供應(yīng)商器件封裝 32-EDIP
基本零件編號(hào) DS1245AB
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這些器件也稱為記憶元件。在計(jì)算機(jī)中采用只有兩個(gè)數(shù)碼“0”和“1”的二進(jìn)制來(lái)表示數(shù)據(jù)。中國(guó)聯(lián)保網(wǎng)記憶元件的兩種穩(wěn)定狀態(tài)分別表示為“0”和“1”。
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