晶體管 2SK2009TE85LF 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/6/5
2SK2009TE85LF介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 200mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 100μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 70pF @ 3V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 2歐姆 @ 50MA，2.5V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SC-59-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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