晶體管 SI7922DN-T1-E3 MOSFET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/4
SI7922DN-T1-E3介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 1.8A
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 195 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 8nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） -
功率 - 最大值 1.3W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 PowerPAK? 1212-8 雙
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? 1212-8 Dual
基本零件編號(hào) SI7922
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以金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）的命名來(lái)看，事實(shí)上會(huì)讓人得到錯(cuò)誤的印象。因?yàn)镸OSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個(gè)字母M，在當(dāng)下大部分同類的組件里是不存在的。
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