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晶體管 IPD12CN10NGATMA1 半導(dǎo)體產(chǎn)品

發(fā)布時(shí)間:2018/6/4

IPD12CN10NGATMA1介紹:
描述 MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)(MSL) 3(168 小時(shí))
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 26 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 67A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 4320pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 12.4 毫歐 @ 67A,10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO252-3
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:

公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛(ài)特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國(guó)仿真器件(ADI)、國(guó)際整流器(IR)、
臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國(guó)美商半導(dǎo)體(AMD)、愛(ài)特梅爾(Atmel)、安捷倫;

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司,全球最專業(yè)的配單專家。一手貨源!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
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電話:0755-83259719

半導(dǎo)體三極管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極 (Base) 和集電極(Collector);場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。