MOSFET - 單 STY112N65M5 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/6/1
STY112N65M5介紹：
描述 MOSFET N-CH 650V 93A MAX247
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 46 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 650V 96A（Tc） 625W（Tc） MAX247?
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh? V
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 96A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 350nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 16870pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 625W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 22 毫歐 @ 47A，10V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 MAX247?
封裝/外殼 TO-247-3
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今日半導(dǎo)體組件的材料通常以硅為首選，但是也有些半導(dǎo)體公司發(fā)展出使用其他半導(dǎo)體材料的制程，當(dāng)中最著名的例如IBM使用硅與鍺的混合物所發(fā)展的硅鍺制程（SiGe process）。
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