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MOSFET - 單 RTE002P02TL 半導體產品

發(fā)布時間:2018/5/30

RTE002P02TL介紹:
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 不適用於新設計
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 200mA(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 50pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 1.5 歐姆 @ 200mA,4.5V
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 EMT3
封裝/外殼 SC-75,SOT-416
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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以金氧半場效晶體管(MOSFET)的命名來看,事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal(金屬)”的第一個字母M,在當下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料,但隨著半導體技術的進步,現(xiàn)代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。