晶體管 BUK9212-55B MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/5/25
BUK9212-55B介紹：
描述 MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 75A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 5V
Vgs（最大值） ±15V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 3519pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 167W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 10 毫歐 @ 25A，10V
工作溫度 -55°C ~ 185°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 DPAK
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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為了維持同樣的性能，MOSFET的臨界電壓也必須降低，但是這也造成了MOSFET越來(lái)越難以完全關(guān)閉。在某些VLSI的芯片，次臨限傳導(dǎo)造成的功率消耗竟然占了總功率消耗的一半以上。
