晶體管 FGH75T65SHDTL4 UGBT
發(fā)布時間：2018/5/14
FGH75T65SHDTL4介紹：
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 150A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 300A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值 455W
開關(guān)能量 1.06mJ（開），1.56mJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 126nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值 55ns/189ns
測試條件 400V，75A，15 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間（trr） 76ns
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-4
供應(yīng)商器件封裝 TO-247
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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在鍺片的底面接上電極，在另一面插上細(xì)針并通上電流，然后讓另一根細(xì)針盡量靠近它，并通上微弱的電流，這樣就會使原來的電流產(chǎn)生很大的變化。微弱電流少量的變化，會對另外的電流產(chǎn)生很大的影響，這就是“放大”作用。
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