晶體管 RRQ030P03TR MOSFET
發(fā)布時間:2018/5/11
RRQ030P03TR介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 3A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 480pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 600mW(Ta)
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 75 毫歐 @ 3A,10V
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TSMT6(SC-95)
封裝/外殼 SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
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MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。