晶體管 MCH6613-TL-E MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2018/5/7
MCH6613-TL-E介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態(tài) 最後搶購(gòu)
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 350mA,200mA
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 3.7 歐姆 @ 80mA,4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 1.58nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 7pF @ 10V
功率 - 最大值 800mW
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-SMD,扁平引線
供應(yīng)商器件封裝 6-MCPH
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:
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源極在MOSFET里的意思是“提供多數(shù)載流子的來(lái)源”。對(duì)NMOS而言,多數(shù)載流子是電子;對(duì)PMOS而言,多數(shù)載流子是空穴。相對(duì)的,漏極就是接受多數(shù)載流子的端點(diǎn)。