電路保護(hù) DF2B6.8ACT,L3F 二極管
發(fā)布時(shí)間：2018/4/19
DF2B6.8ACT,L3F介紹；
描述 TVS DIODE 5V 7V CST2
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 12 周
類別 電路保護(hù)
TVS - 二極管
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
類型 齊納
雙向通道 1
電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值） 5V（最大）
電壓 - 擊穿（最小值） 5.8V
電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp 7V（標(biāo)準(zhǔn)）
電流 - 峰值脈沖（10/1000μs） 1A（8/20μs）
功率 - 峰值脈沖 -
電源線路保護(hù) 無
應(yīng)用 通用
不同頻率時(shí)的電容 9pF @ 1MHz
工作溫度 -
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOD-882
供應(yīng)商器件封裝 CST2
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當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，pn結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。pn結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。