存儲(chǔ)器 CY14B104NA-ZS25XIT NVSRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/4/13
CY14B104NA-ZS25XIT介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 NVSRAM
技術(shù) NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲(chǔ)容量 4Mb （256K x 16）
寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè) 25ns
訪問(wèn)時(shí)間 25ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 44-TSOP II
基本零件編號(hào) CY14B104
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
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NVSRAM采用SRAM+EEPROM方式,實(shí)現(xiàn)了無(wú)須后備電池的非易失性存儲(chǔ),芯片接口、時(shí)序等與標(biāo)準(zhǔn)SRAM完全兼容。NVSRAM通常的操作都在SRAM中進(jìn)行,只有當(dāng)外界突然斷電或者認(rèn)為需要存儲(chǔ)的時(shí)候才會(huì)把 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到EEPROM中去,當(dāng)檢測(cè)到系統(tǒng)上電后會(huì)把EEPROM中的數(shù)據(jù)拷貝到SRAM中,系統(tǒng)正常運(yùn)行。
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