存儲(chǔ)器IS42S16100C1-7TLI DRAM
發(fā)布時(shí)間：2018/4/11
IS42S16100C1-7TLI介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 ? 托盤 ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM
存儲(chǔ)容量 16Mb （1M x 16）
時(shí)鐘頻率 143MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁 -
訪問時(shí)間 5.5ns
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 3 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 50-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 50-TSOP II
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按照與CPU的接近程度，存儲(chǔ)器分為內(nèi)存儲(chǔ)器與外存儲(chǔ)器，簡稱內(nèi)存與外存。內(nèi)存儲(chǔ)器又常稱為主存儲(chǔ)器（簡稱主存），屬于主機(jī)的組成部分；外存儲(chǔ)器又常稱為輔助存儲(chǔ)器（簡稱輔存），屬于外部設(shè)備。CPU不能像訪問內(nèi)存那樣，直接訪問外存，外存要與CPU或I/O設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，必須通過內(nèi)存進(jìn)行。
