DDR3 MT41J64M16LA-187E:B TR 存儲(chǔ)器
發(fā)布時(shí)間：2018/4/11
MT41J64M16LA-187E:B TR介紹；
描述 IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 96FBGA
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 3（168 小時(shí)）
詳細(xì)描述 SDRAM - DDR3 存儲(chǔ)器 IC 1Gb （64M x 16） 并聯(lián) 533MHz 96-FBGA（9x15.5）
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲(chǔ)器類型 易失
存儲(chǔ)器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR3
存儲(chǔ)容量 1Gb （64M x 16）
時(shí)鐘頻率 533MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁 -
存儲(chǔ)器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.425 V ~ 1.575 V
工作溫度 0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 96-FBGA
供應(yīng)商器件封裝 96-FBGA（9x15.5）
基本零件編號(hào) MT41J64M16
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為解決高速的CPU與速度相對(duì)較慢的主存的矛盾，還可使用高速緩存。它采用速度很快、價(jià)格更高的半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器，甚至與微處理器做在一起，存放當(dāng)前使用最頻繁的指令和數(shù)據(jù)。當(dāng)CPU從內(nèi)存中讀取指令與數(shù)據(jù)時(shí)，將同時(shí)訪問高速緩存與主存。如果所需內(nèi)容在高速緩存中，就能立即獲??；如沒有，再從主存中讀取。高速緩存中的內(nèi)容是根據(jù)實(shí)際情況及時(shí)更換的。這樣，通過增加少量成本即可獲得很高的速度。
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