MOSFET單 IRF6713STRPBF 晶體管
發(fā)布時(shí)間：2018/4/9
IRF6713STRPBF介紹；
描述 MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET-SQ
對(duì)無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 25V 22A（Ta），95A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ SQ
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 22A（Ta），95A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2880pF @ 13V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.2W（Ta），42W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 3 毫歐 @ 22A，10V
工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 DIRECTFET™ SQ
封裝/外殼 DirectFET™ 等容 SQ
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材料按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。工藝晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。電流容量晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。