MOSFET-單 ZVN1409ASTOA 晶體管-FET
發(fā)布時間：2018/4/3
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ZVN1409ASTOA 介紹；
描述 MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 通孔 N 溝道 90V 10mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 90V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 10mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 100μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6.5pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 625mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 250 歐姆 @ 5mA，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 E-Line（TO-92 兼容）
封裝/外殼 E-Line-3
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2007年1月29日：英特爾公布采用突破性的晶體管材料即高-k柵介質和金屬柵極。英特爾將采用這些材料在公司下一代處理器——英特爾酷睿2雙核、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強系列多核處理器的數(shù)以億計的45納米晶體管或微小開關中用來構建絕緣“墻”和開關“門”，研發(fā)代碼Penryn。2010年11月，NVIDIA發(fā)布全新的GF110核心，含30億個晶體管，采用先進的40納米工藝制造。2011年05月05 日：英特爾成功開發(fā)世界首個3D晶體管，稱為tri-Gate。除了英特爾將3D晶體管應用于22納米工藝之后，三星，GlobalFoundries，臺積電和臺聯(lián)電都計劃將類似于Intel的3D晶體管技術應用到14納米節(jié)點上 [3] 。