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零件編號 IRF6215S-ND

制造商 Infineon Technologies

制造商零件編號 IRF6215S

含鉛 / 不符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

產(chǎn)品屬性

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 過期

FET 類型 P 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss） 150V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 13A（Tc）

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 66nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 860pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），110W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 290 毫歐 @ 6.6A，10V

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 D2PAK

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB