国产麻豆精品久久一二三,亚洲日韩欧美国产骑乘榨汁,久久狠色噜噜狠狠狠狠97,国产精品亚洲一区二区不卡

零件編號 IRFB4710PBF-ND

制造商 Infineon Technologies

制造商零件編號 IRFB4710PBF

無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）

產(chǎn)品屬性

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET?

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源極電壓（Vdss） 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 75A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 170nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6160pF @ 25V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），200W（Tc）

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 14 毫歐 @ 45A，10V

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB

封裝/外殼 TO-220-3