SI2309CDS-T1-GE3 晶體管 MOSFET
發(fā)布時間：2019/6/27
SI2309CDS-T1-GE3介紹：
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 1.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 345 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Qg-柵極電荷: 4.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.45 mm
長度: 2.9 mm
系列: SI2
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 1.6 mm
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 2.8 S
下降時間: 10 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 15 ns
典型接通延遲時間: 5 ns
零件號別名: SI2309CDS-GE3
單位重量: 8 mg
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