ZXMN2B03E6TA 集成電路IC
發(fā)布時間：2019/5/14
ZXMN2B03E6TA介紹：
制造商: Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-26-6
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 40 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
Qg-柵極電荷: 14.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.3 mm
長度: 3.1 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: ZXMN2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 1.8 mm
商標: Diodes Incorporated
下降時間: 6.2 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 6.2 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 33.9 ns
典型接通延遲時間: 4.2 ns
單位重量: 15 mg
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