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STW26NM60N 集成電路IC

發(fā)布時間:2019/5/8

STW26NM60N介紹:

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 20 A

Rds On-漏源導通電阻: 165 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 60 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 140 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標名: MDmesh

封裝: Tube

高度: 20.15 mm  

長度: 15.75 mm  

系列: STW26NM60N  

晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET  

類型: Power MOSFET  

寬度: 5.15 mm  

商標: STMicroelectronics  

下降時間: 50 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 25 ns  

工廠包裝數(shù)量: 30  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 85 ns  

典型接通延遲時間: 13 ns  

單位重量: 38 g


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