VND7NV04TR-E 集成電路IC
發(fā)布時(shí)間：2019/5/8
VND7NV04TR-E介紹：
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 45 V
Id-連續(xù)漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 60 mOhms
Qg-柵極電荷: 18 nC
Pd-功率耗散: 60 W
資格: AEC-Q101
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: VND7NV04
類型: Low Side
商標(biāo): STMicroelectronics
正向跨導(dǎo) - 最小值: 9 S
下降時(shí)間: 350 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 470 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
單位重量: 4 g
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