晶體管 FDS9933A MOSFET - 陣列
發(fā)布時間:2018/10/23
FDS9933A介紹:
描述 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 2 個 P 溝道(雙) Mosfet 陣列 20V 3.8A 900mW 表面貼裝 8-SOIC
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個 P 溝道(雙)
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 3.8A
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 75 毫歐 @ 3.8A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 600pF @ 10V
功率 - 最大值 900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC
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無論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性器件的美名
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