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晶體管 FDT458P MOSFET - 單

發(fā)布時(shí)間:2018/10/9

FDT458P介紹:

描述 MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 20 周

詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 30V 3.4A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4

類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench?

包裝    帶卷(TR)

零件狀態(tài) 在售

FET 類(lèi)型 P 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 3.4A(Ta)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 130 毫歐 @ 3.4A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 3.5nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 205pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 3W(Ta)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類(lèi)型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 SOT-223-4

封裝/外殼 TO-261-4,TO-261AA

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:


公司所銷(xiāo)售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值,例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用,晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪訊比等,可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。


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