晶體管 ZXMP10A17E6TA MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/9/7
ZXMP10A17E6TA介紹：
描述 MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 20 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 100V 1.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 1.3A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 350 毫歐 @ 1.4A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 6.1nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 424pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-26
封裝/外殼 SOT-23-6
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按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。今天的許多媒體是通過(guò)電子形式發(fā)布的，最終通過(guò)計(jì)算機(jī)轉(zhuǎn)化和呈現(xiàn)為模擬形式。受到數(shù)字化革命影響的領(lǐng)域包括電視，廣播和報(bào)紙。
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