晶體管 MMBT5551LT1G 半導體產(chǎn)品
發(fā)布時間：2018/9/7
MMBT5551LT1G介紹：
描述 TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
制造商標準提前期 36 周
詳細描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 NPN
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 600mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 160V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 200mV @ 5mA，50mA
電流 - 集電極截止（最大值） 100nA
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 80 @ 10mA，5V
功率 - 最大值 225mW
頻率 - 躍遷 -
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
基本零件編號 MMBT5551
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計中心的強大網(wǎng)絡。?
