晶體管 SI2399DS-T1-GE3 FET
發(fā)布時(shí)間：2018/9/4
SI2399DS-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 20V 6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 6A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 34 毫歐 @ 5.1A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 835pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.25W（Ta），2.5W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。
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