晶體管 FDN306P MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/8/31
FDN306P介紹：
描述 MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
制造商標準提前期 42 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 12V 2.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
類別 分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 2.6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 40 毫歐 @ 2.6A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1138pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SuperSOT-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨隅器）。
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