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晶體管 IPP030N10N3GXKSA1 FET-MOSFET

發(fā)布時間:2018/8/8

?IPP030N10N3GXKSA1介紹:

描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS??

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 100V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 100A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 3 毫歐 @ 100A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 275μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 206nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 14800pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 300W(Tc)

工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型 通孔

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO-220-3

封裝/外殼 TO-220-3

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:


公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、

臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、

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MOSFET依照其"通道"(工作載流子)的極性不同,可分為"N型"與"P型" 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。?