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晶體管 SI2308BDS-T1-E3 MOSFET - 單

發(fā)布時間:2018/8/6

SI2308BDS-T1-E3介紹:

描述 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 33 周

詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 60V 2.3A(Tc) 1.09W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET?

包裝 ? 帶卷(TR) ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 60V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 2.3A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 156 毫歐 @ 1.9A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 6.8nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 190pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 1.09W(Ta),1.66W(Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3(TO-236)

封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。